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    氣體在半導體外延中起到的作用


    外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,為了降低生長溫度,也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的,其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

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    99.9995~99.99997?
    主要用于半導體器件和集成電路生產的離子注入和摻雜,它可溶于水,在那里分解形成氟硼酸。 它在潮濕空氣中水解。 它用作離子注入氣體和CVD應用中的硼源。
    CAS:7637-07-2
    包裝物尺寸:8L/12L/47L/470L/(另接受定制)?
    閥門型號:CGA-330 / DISS-642?
    HS:2812901990
    企業名稱含義:貝斯特即英文“best”的音譯,含義為:要做就做最好。?
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